前言

本標準為全文強制。

本標準規(guī)定了電子工業(yè)企業(yè)或生產(chǎn)設施的大氣污染物排放限值、監(jiān)測和監(jiān)控要求，以及標準實施與監(jiān)督等相關規(guī)定。

本標準依據(jù)GB/T1.1-2009給出的規(guī)則起草。

本標準由北京市環(huán)境保護局提出并歸口。

本標準由北京市人民政府于201年x月x日批準。

本標準由北京市環(huán)境保護局組織實施。

本標準主要起草單位：北京市環(huán)境保護科學研究院。

本標準主要起草人：李國昊、聶磊、邵霞、高喜超、劉曉宇、李樹琰、李宗澤。

引言

為貫徹《中華人民共和國環(huán)境保護法》、《中華人民共和國大氣污染防治法》、《大氣污染防治行動計劃》和《北京市大氣污染防治條例》，打贏藍天保衛(wèi)戰(zhàn)，控制電子工業(yè)的大氣污染物排放，引導電子工業(yè)生產(chǎn)工藝和大氣污染控制技術的發(fā)展方向，改善北京市大氣環(huán)境質(zhì)量，制定本標準。

電子工業(yè)大氣污染物排放標準

1、范圍

本標準規(guī)定了電子工業(yè)企業(yè)或生產(chǎn)設施的大氣污染物排放限值、監(jiān)測和監(jiān)控要求，以及標準實施與監(jiān)督等相關規(guī)定。
本標準適用于電子專用材料、電子元件、印制電路板、半導體器件、顯示器件及光電子器件、電子終端產(chǎn)品等六類電子工業(yè)企業(yè)或生產(chǎn)設施的大氣污染物排放管理，以及這六類電子工業(yè)建設項目的環(huán)境影響評價、環(huán)境保護設施設計、竣工環(huán)境保護驗收及其投產(chǎn)后的大氣污染物排放管理。其他類別電子工業(yè)企業(yè)或生產(chǎn)設施的大氣污染物排放管理，參照本標準執(zhí)行。

2、規(guī)范性引用文件

本標準內(nèi)容引用了下列文件或其中的條款。凡是注明日期的引用文件，僅所注日期的版本適用于本文件。凡是不注明日期的引用文件，其*新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。
GB/T14668空氣質(zhì)量氨的測定納氏試劑比色法
GB/T15432環(huán)境空氣總懸浮顆粒物的測定重量法
GB/T16157固定污染源排氣中顆粒物測定與氣態(tài)污染物采樣方法
HJ38固定污染源廢氣總烴、甲烷和非甲烷總烴的測定氣相色譜法
HJ480環(huán)境空氣氟化物的測定濾膜采樣氟離子選擇電極法
HJ481環(huán)境空氣氟化物的測定石灰濾紙采樣氟離子選擇電極法
HJ533環(huán)境空氣和廢氣氨的測定納氏試劑分光光度法
HJ534環(huán)境空氣氨的測定次氯酸鈉-水楊酸分光光度法
HJ538固定污染源廢氣鉛的測定火焰原子吸收分光光度法(暫行)
HJ539環(huán)境空氣鉛的測定石墨爐原子吸收分光光度法(暫行)
HJ544固定污染源廢氣硫酸霧的測定離子色譜法（暫行）
HJ547固定污染源廢氣氯氣的測定碘量法（暫行）
HJ548固定污染源廢氣氯化氫的測定硝酸銀容量法（暫行）
HJ549環(huán)境空氣和廢氣氯化氫的測定離子色譜法(暫行)
HJ583環(huán)境空氣苯系物的測定固體吸附/熱脫附-氣相色譜法
HJ584環(huán)境空氣苯系物的測定活性炭吸附/二硫化碳解吸-氣相色譜法
HJ629固定污染源廢氣二氧化硫的測定非分散紅外吸收法
HJ644環(huán)境空氣揮發(fā)性有機物的測定吸附管采樣熱脫附/氣相色譜-質(zhì)譜法
HJ657空氣和廢氣顆粒物中鉛等金屬元素的測定電感耦合等離子體質(zhì)譜法
HJ685固定污染源廢氣鉛的測定火焰原子吸收分光光度法
HJ692固定污染源廢氣氮氧化物的測定非分散紅外吸收法
HJ693固定污染源廢氣氮氧化物的測定定電位電解法
HJ732固定污染源廢氣揮發(fā)性有機物的采樣氣袋法
HJ733敞開液面排放的揮發(fā)性有機物檢測技術導則
HJ734固定污染源廢氣揮發(fā)性有機物的測定固相吸附-熱脫附/氣相色譜-質(zhì)譜法
HJ759環(huán)境空氣揮發(fā)性有機物的測定罐采樣/氣相色譜-質(zhì)譜法
HJ/T28固定污染源排氣中氰化氫的測定異煙酸-吡唑啉酮分光光度法
HJ/T55大氣污染物無組織排放監(jiān)測技術導則
HJ/T56固定污染源排氣中二氧化硫的測定碘量法
HJ/T57固定污染源排氣中二氧化硫的測定定電位電解法
HJ/T67大氣固定污染源氟化物的測定離子選擇電極法
HJ/T397固定源廢氣監(jiān)測技術規(guī)范
DB11/1195固定污染源監(jiān)測點位設置技術規(guī)范
DB11/T1367固定污染源廢氣甲烷/總烴/非甲烷總烴的測定便攜式氫火焰離子化檢測器法
DB11/T1484固定污染源廢氣揮發(fā)性有機物監(jiān)測技術規(guī)范

3、術語和定義

下列術語和定義適用于本標準。

3.1電子專用材料specialelectronicmaterials
在半導體集成電路、各種電子元器件（包括有源及無源元器件、激光器件、光通訊器件、發(fā)光二極管器件、液晶顯示器件等電子基礎產(chǎn)品）制造中所采用的特殊材料。本標準中電子專用材料涵蓋的產(chǎn)品范圍包括半導體材料、覆銅板、電子銅箔、光電子材料、壓電晶體材料、電子專用精細化工與高分子材料等，但不包括真空電子材料、磁性材料、電子焊接材料和電子陶瓷材料。具體產(chǎn)品范圍見附錄A。

3.2電子元件electricalunit
電子電路中具有某種獨立功能的單元，可對電路中電壓和電流進行控制、變換和傳輸?shù)?。一般包括：電阻器、電容器、電子變壓器、電感器、壓電晶體、電子敏感元器件與傳感器、電接插元件、控制繼電器、微特電機與組件、電聲器件等產(chǎn)品。

3.3印制電路板printedcircuitboard（PCB）
在絕緣基材上，按預定設計形成印制元件、印制線路或兩者結合的導電圖形的印制電路或印制線路成品板。印制電路板包括剛性板與撓性板，它們又有單面印制電路板、雙面印制電路板、多層印制電路板，以及剛撓結合印制電路板和高密度互連印制電路板等。高密度互連印制電路板，簡稱HDI板。

3.4半導體器件semiconductordevice
利用半導體材料的特殊電特性制造，以實現(xiàn)特定功能的電子器件。包括分立器件和集成電路兩大類產(chǎn)品。

3.5光電子器件photoelectroncomponent
利用半導體光-電子（或電-光子）轉(zhuǎn)換效應制成的各種功能器件。如半導體光電器件中的光電轉(zhuǎn)換器、光電探測器等；激光器件中的氣體激光器件、半導體激光器件、固體激光器件、靜電感應器件等；光通信電路及其他器件；半導體照明器件等。

3.6顯示器件displaydevice
基于電子手段呈現(xiàn)信息供視覺感受的器件。包括薄膜晶體管液晶顯示器件（TN/STN-LCD、TFT-LCD）、場發(fā)射顯示器件（FED）、真空熒光顯示器件（VFD）、有機發(fā)光二極管顯示器件（OLED）、等離子顯示器件（PDP）、發(fā)光二極管顯示器件（LED）、曲面顯示器件以及柔性顯示器件等。

3.7電子終端產(chǎn)品electronterminalsproducts
以采用印制電路板（PCB）組裝工藝技術為基礎裝配的具有獨立應用功能的電子信息產(chǎn)品。如通信設備、雷達設備、廣播電視設備、電子計算機、視聽設備、電子測量儀器等。

3.8揮發(fā)性有機物volatileorganiccompounds（VOCs）
指參與大氣光化學反應的有機化合物，或者根據(jù)有關規(guī)定確定的有機化合物。
在表征VOCs總體排放情況時，根據(jù)行業(yè)特征和環(huán)境管理要求，可采用總揮發(fā)性有機物（以TVOC表示）、非甲烷總烴（以NMHC表示）作為污染物控制項目。

3.9企業(yè)邊界enterpriseboundary
電子工業(yè)企業(yè)或生產(chǎn)設施的法定邊界。若無法定邊界，則指企業(yè)或生產(chǎn)設施的實際占地邊界。

3.10密閉排氣系統(tǒng)closedventsystem
將工藝設備或車間排出或逸散出的大氣污染物，捕集并輸送至污染控制設備或排放管道，使輸送的氣體不直接與大氣接觸的系統(tǒng)。

3.11揮發(fā)性有機物治理設施treatmentfacilityforVOCs
處理揮發(fā)性有機物的燃燒裝置、吸收裝置、吸附裝置、冷凝裝置、生物處理設施或其它有效的污染控制設施。

3.12現(xiàn)有污染源Existingpollutionsource
指本標準實施之日前，已建成投產(chǎn)或環(huán)境影響評價文件已通過審批的工業(yè)企業(yè)和生產(chǎn)設施。

3.13新建污染源Newpollutionsource
指本標準實施之日起，環(huán)境影響評價文件通過審批的新建、改建和擴建的建設項目。

4、大氣污染物控制要求

4.1時段劃分
4.1.1現(xiàn)有污染源自本標準實施之日起至2019年12月31日止，執(zhí)行第Ⅰ時段的排放限值；自2020年1月1日起執(zhí)行第Ⅱ時段規(guī)定的限值。
4.1.2新建污染源自本標準實施之日起執(zhí)行第Ⅱ時段規(guī)定的限值。
4.1.3工藝措施和管理要求自本標準實施之日起執(zhí)行。

4.2排氣筒排放濃度限值
4.2.1電子工業(yè)生產(chǎn)過程中，設備或車間排氣筒排放大氣污染物濃度執(zhí)行表1規(guī)定的限值。

4.2.2廢氣焚燒設施應對排放煙氣中的二氧化硫、氮氧化物和二噁英類進行監(jiān)測，并達到表2規(guī)定的要求。其他大氣污染物排放還應滿足表1的控制要求。

4.2.3對進入VOCs燃燒（焚燒、氧化）裝置的廢氣需要補充氧氣（空氣）進行燃燒、氧化反應（燃料助燃需要補充空氣的情況除外）時，排氣筒中實測大氣污染物排放濃度應按公式（1）換算為基準含氧量為3%的大氣污染物基準排放濃度，并與排放限值比較判定排放是否達標；如進入VOCs燃燒（焚燒、氧化）裝置的廢氣中含氧量可滿足自身燃燒、氧化反應需要，或者燃料助燃需要補充空氣時，按排氣筒中實測大氣污染物濃度判定排放是否達標，此時裝置出口煙氣含氧量不應高于裝置進口廢氣含氧量。

式中：
——大氣污染物基準排放濃度，mg/m3；
——干煙氣基準含氧量，%，取值為3；
——實測的干煙氣含氧量，%；
——實測大氣污染物排放濃度，mg/m3。

4.3無組織排放控制要求
4.3.1電子工業(yè)生產(chǎn)過程中，企業(yè)邊界大氣污染物濃度執(zhí)行表3規(guī)定的限值。

4.4排氣筒高度要求
排氣筒高度應按環(huán)境影響評價要求確定，且應不低于15m。排氣筒排放氯氣、氰化氫兩種污染物中任一種或一種以上時，其高度不得低于25m。

4.5工藝措施和管理要求
4.5.1產(chǎn)生大氣污染物的生產(chǎn)工藝和裝置需設立局部或整體氣體收集系統(tǒng)和凈化處理裝置，達標排放。
4.5.2當執(zhí)行不同排放控制要求的廢氣合并排氣筒排放，且可選擇的監(jiān)控位置只能對混合后的廢氣進行監(jiān)測時，應執(zhí)行各排放控制要求中*嚴格的規(guī)定。
4.5.3其他工藝措施和管理要求見附錄A。

5、監(jiān)測

5.1企業(yè)監(jiān)測要求
5.1.1企業(yè)應按照有關法律法規(guī)要求，建立企業(yè)監(jiān)測制度，制定監(jiān)測方案，對污染物排放狀況及其對周邊環(huán)境質(zhì)量的影響開展自行檢測，保存原始監(jiān)測記錄。

5.2排氣筒監(jiān)測
5.2.1按DB11/1195的規(guī)定設置廢氣采樣口和采樣平臺，并滿足GB/T16157、HJ/T397和DB11/T1484規(guī)定的采樣條件。
5.2.2排氣筒廢氣的采樣監(jiān)測應按照GB/T16157、HJ/T397和HJ732的規(guī)定執(zhí)行。
5.2.3排污企業(yè)安裝污染物排放自動監(jiān)控設備的要求，按《北京市固定污染源自動監(jiān)控管理辦法》、HJ/T75中相關要求及其他相關法律法規(guī)執(zhí)行。

5.3無組織排放監(jiān)測
5.3.1廠界大氣污染物無組織排放監(jiān)測應按HJ/T55的規(guī)定執(zhí)行。
5.3.2無組織排放監(jiān)控點位污染物濃度應以任何連續(xù)1小時的采樣獲得平均值、或在任何1小時內(nèi)以等時間間隔采集3個以上樣品，計算平均值。
5.3.3對于設備與管線組件和敞開液面，逸散排放的VOCs監(jiān)測采樣和測定方法按HJ733的規(guī)定執(zhí)行，采用氫火焰離子化檢測儀（以甲烷或丙烷為校正氣體，以碳計）監(jiān)測。

5.4大氣污染物濃度測定方法
大氣污染物濃度的分析測定應按照表4規(guī)定的方法執(zhí)行。

6、監(jiān)測工況要求

6.1對于建設項目環(huán)境保護設施竣工驗收監(jiān)測或限期治理后的監(jiān)測，采樣期間的工況不應低于設計工況的75%。對于監(jiān)督性監(jiān)測，不受工況和生產(chǎn)負荷限制。
6.2生產(chǎn)設施應采用合理的通風措施，不應稀釋排放。在國家未規(guī)定單位產(chǎn)品基準排氣量之前，暫以實測濃度作為判定是否達標的依據(jù)。

7、監(jiān)督與實施

7.1本標準由市和區(qū)環(huán)境保護主管部門統(tǒng)一監(jiān)督實施。
7.2在任何情況下，電子工業(yè)企業(yè)均應遵守本標準規(guī)定的污染物排放要求，采取必要措施保證污染防治設施正常運行。各級環(huán)保部門在對企業(yè)進行監(jiān)督性檢查時，以現(xiàn)場即時采樣或監(jiān)測的結果作為判定排污行為是否符合排放標準以及實施相關環(huán)境保護管理措施的依據(jù)。

附錄A（規(guī)范性附錄）
工藝措施和管理要求

A.1VOCs物料的儲存、轉(zhuǎn)移和輸送
A.1.1VOCs物料應儲存于密閉儲罐或密閉容器中。盛裝VOCs物料的容器應存放于儲存室內(nèi)，或存放于設置有雨棚的專用場地。
A.1.2VOCs物料采用密閉管道輸送。采用非管道輸送方式轉(zhuǎn)移VOCs物料時，應采用密閉容器。
A.1.3盛裝VOCs物料的容器在非取用狀態(tài)時應加蓋保持密閉。

A.2含VOCs產(chǎn)品的使用過程控制
A.2.1含VOCs產(chǎn)品的使用過程應密閉設備，或在密閉空間內(nèi)進行，廢氣排至VOCs廢氣收集處理系統(tǒng)。不能密閉的，應采取局部氣體收集處理措施。含VOCs產(chǎn)品的使用過程包括但不局限于以下作業(yè)：
a)有機載體制備、溶劑復配、配膠等；
b)上（點）膠、涂漆、噴涂、涂覆、印刷等；
c)光刻、顯影、刻蝕、擴散等；
d)研磨、清洗、烘干等。
A.2.2企業(yè)應記錄含VOCs原料、輔料和產(chǎn)品的名稱、使用量、回收量、廢棄量、去向以及VOCs含量。記錄保存期限不得少于三年。

A.3設備與管線組件泄漏
A.3.1應對泵、壓縮機、閥門、法蘭及其他連接件等密封點進行泄漏檢測，對泄漏檢測值（扣除環(huán)境本底值后的凈值）大于等于2000µmol/mol的泄漏點以及目視滴液的滴漏點進行標識并在15日內(nèi)修復。
A.3.2企業(yè)應建立泄漏檢測與修復制度，每季度對泵、壓縮機、閥門、法蘭及其他連接件等動靜密封點進行泄漏檢測，建立臺帳，記錄檢測時間、檢測儀器讀數(shù)、修復時間、修復后檢測儀器讀數(shù)等信息。
A.3.3采用無泄漏型式的設備或管線組件，免于泄漏檢測。

A.4揮發(fā)性有機液體儲罐與裝載設施
A.4.1對于儲存物料的真實蒸氣壓大于等于5.2kPa、容積大于等于75m3的有機液體儲罐，應符合以下規(guī)定之一：
a)采用液體鑲嵌式密封、機械式鞋形密封、雙封式密封等有效密封方式的浮頂罐；
a)采用固定頂罐，應安裝密閉排氣系統(tǒng)，排氣至VOCs廢氣收集處理系統(tǒng)；
a)采取氣相平衡系統(tǒng)等其他等效措施。
A.4.2對于真實蒸氣壓大于等于5.2kPa的裝載物料，且單一裝載設施的年裝載總?cè)莘e超過2500m3；或裝載物料真實蒸氣壓≥27.6kPa，且單一裝載設施的年裝載總?cè)莘e超過500m3，其裝載設施應配備廢氣收集系統(tǒng)，并排氣至VOCs廢氣收集處理系統(tǒng)或采取氣相平衡系統(tǒng)。

A.5敞開液面VOCs逸散
A.5.1含VOCs廢水和循環(huán)冷卻水的集輸系統(tǒng)在安全許可條件下，應采取與環(huán)境空氣隔離的措施。
A.5.2檢測含VOCs廢水和循環(huán)冷卻水儲存、處理設施敞開液面上方100mm處的VOCs濃度，如大于200µmol/mol，應加蓋密閉，排氣至VOCs廢氣收集處理系統(tǒng)。

A.6廢氣收集處理系統(tǒng)要求
A.6.1廢氣收集系統(tǒng)排風罩（集氣罩）的設置應符合GB/T16758的規(guī)定。對于外部罩，在距排風罩開口面*遠的VOCs無組織排放位置（AQ/T4274），按GB/T16758規(guī)定的方法測量吸入風速，應保證不低于0.3m/s（行業(yè)相關規(guī)范有具體規(guī)定的，按規(guī)定執(zhí)行）。
A.6.2廢氣收集系統(tǒng)的輸送管道應密閉。在工作狀態(tài)下，輸送管道宜保持負壓狀態(tài)；若處于正壓狀態(tài)，則應按照附錄A3的規(guī)定對輸送管道的密封點進行泄漏檢測。
A.6.3企業(yè)應對廢氣收集系統(tǒng)、揮發(fā)性有機物治理設施做以下記錄，并至少保存2年。記錄包括但不限于以下內(nèi)容：
a)吸附裝置，應每日記錄吸附劑種類、更換/再生周期、更換量；
b)燃燒裝置，應每日記錄運行時操作溫度；
c)采用其他揮發(fā)性有機物污染控制設備，應記錄保養(yǎng)維護事項，并每日記錄主要操作參數(shù)；
d)應記錄揮發(fā)性有機物污染治理設施及排污工藝設施的運轉(zhuǎn)時間。
A.6.4采用非原位再生吸附處理工藝進行廢氣治理的，應按審定的設計文件要求確定吸附劑的使用量及更換周期，每萬立方米/小時設計風量的吸附劑用量不應小于1立方米，更換周期不應長于1個月。購買吸附劑的相關合同、票據(jù)至少保存2年。

A.7其他控制要求
A.7.1實驗室若涉及使用含VOCs的化學品進行實驗，應在通風柜（櫥）中進行，廢氣應排至VOCs廢氣收集處理系統(tǒng)。
A.7.2盛裝VOCs廢料（渣）的容器應密閉。列入《國家危險廢物名錄》的含VOCs的廢料應以密閉容器收集，并按危險廢物進行貯存和處置。
A.7.3VOCs原料、輔料和產(chǎn)品的廢包裝容器應密閉，并按相關固體廢物標準進行貯存和處置。
來自：北京環(huán)保局